全文获取类型
收费全文 | 6786篇 |
免费 | 1159篇 |
国内免费 | 478篇 |
专业分类
化学 | 2448篇 |
晶体学 | 85篇 |
力学 | 1504篇 |
综合类 | 61篇 |
数学 | 256篇 |
物理学 | 4069篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 42篇 |
2022年 | 116篇 |
2021年 | 138篇 |
2020年 | 171篇 |
2019年 | 167篇 |
2018年 | 138篇 |
2017年 | 207篇 |
2016年 | 255篇 |
2015年 | 315篇 |
2014年 | 312篇 |
2013年 | 999篇 |
2012年 | 394篇 |
2011年 | 469篇 |
2010年 | 325篇 |
2009年 | 375篇 |
2008年 | 356篇 |
2007年 | 375篇 |
2006年 | 334篇 |
2005年 | 331篇 |
2004年 | 319篇 |
2003年 | 262篇 |
2002年 | 242篇 |
2001年 | 209篇 |
2000年 | 173篇 |
1999年 | 141篇 |
1998年 | 180篇 |
1997年 | 129篇 |
1996年 | 111篇 |
1995年 | 135篇 |
1994年 | 97篇 |
1993年 | 107篇 |
1992年 | 85篇 |
1991年 | 65篇 |
1990年 | 50篇 |
1989年 | 45篇 |
1988年 | 55篇 |
1987年 | 32篇 |
1986年 | 30篇 |
1985年 | 24篇 |
1984年 | 22篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 18篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 17篇 |
1977年 | 3篇 |
1976年 | 4篇 |
1973年 | 4篇 |
1972年 | 5篇 |
排序方式: 共有8423条查询结果,搜索用时 31 毫秒
11.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
12.
13.
14.
S. Meenakshi B.K. Godwal I. Orgzall S. Tkachev 《Journal of Physics and Chemistry of Solids》2006,67(8):1660-1667
We report the results of an X-ray diffraction study of CdAl2Se4 and of Raman studies of HgAl2Se4 and ZnAl2Se4 at room temperature, and of CdAl2S4 and CdAl2Se4 at 80 K at high pressure. The ambient pressure phase of CdAl2Se4 is stable up to a pressure of 9.1 GPa above which a phase transition to a disordered rock salt phase is observed. A fit of the volume pressure data to a Birch-Murnaghan type equation of state yields a bulk modulus of 52.1 GPa. The relative volume change at the phase transition at ∼9 GPa is about 10%. The analysis of the Raman data of HgAl2Se4 and ZnAl2Se4 reveals a general trend observed for different defect chalcopyrite materials. The line widths of the Raman peaks change at intermediate pressures between 4 and 6 GPa as an indication of the pressure induced two stage order-disorder transition observed in these materials. In addition, we include results of a low temperature Raman study of CdAl2S4 and CdAl2Se4, which shows a very weak temperature dependence of the Raman-active phonon modes. 相似文献
15.
The molding processes of polymer melts involve geometrically complex dies. Such dies are usually tapered or streamlined to achieve a maximum output rate under conditions of laminar flow. The model of a generalized second-grade fluid of power-law type is used and the results obtained are illustrated by examples of convergent flows in conical and wedge-shaped dies. 相似文献
16.
17.
采用同步辐射能量色散X射线衍射技术、激光加热技术和金刚石对顶砧(DAC)高压装置,在温度为2 000 K和压力为23 GPa的范围内,对采自地幔二辉橄榄岩中的顽火斜方辉石,进行了原位的高温高压能量色散X射线衍射(EDXRD)测量。实验结果表明:当压力为15.3 GPa、温度为1 600 K时(相当于地球内部410 km处的地震波不连续界面的温压环境),顽火斜方辉石转变为橄榄石的β相——瓦兹利石(Wadsleyite)相;继续加温加压至2 000 K、23 GPa时(相当于地球内部670 km处的地震波不连续界面的温压环境),顽火斜方辉石相变为钛铁矿(Ilmenite)结构和钙钛矿(Perovskite)结构的混和相。实验结果进一步证明,在地幔中存在的两个地震波不连续界面是由橄榄石、顽火斜方辉石等矿物的相变引起的。 相似文献
18.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
19.
A. B. Mitkevich 《Mechanics of Composite Materials》2005,41(6):497-504
Errors in the programs of winding pressure vessels can lead to an asymmetric reinforcement structure, which affects the equilibrium
shape of their domes and the tension in the left and right families of filaments. In this paper, equations determining the
equilibrium shape of the domes, the tension in filaments, and the shear stresses between layers are obtained. Examples with
winding trajectories in the form of geodesics and constant-deviation lines are considered. It is found that, for pressure
vessels, in the absence of external torque, the tension levels in filaments of the left and right families differ considerably.
It is also revealed that, for actual friction coefficients in winding, the shear stresses taken up by the binder are insignificant.
__________
Translated from Mekhanika Kompozitnykh Materialov, Vol. 41, No. 6, pp. 743–752, November–December, 2005. 相似文献
20.
V.B. Fainerman V.N. Kazakov S.V. Lylyk A.V. Makievski R. Miller 《Colloids and surfaces. A, Physicochemical and engineering aspects》2004,250(1-3):97-102
One of the essential differences in the design of bubble pressure tensiometers consists in the geometry of the measuring capillaries. To reach extremely short adsorption times of milliseconds and below, the so-called deadtime of the capillaries must be of the order of some 10 ms. In particular, for concentrated surfactant solutions, such as micellar solutions, short deadtimes are needed to minimize the initial surfactant load of the generated bubbles. A theoretical model is derived and confirmed by experiments performed for a wide range of experimental conditions, mainly in respect to variations in deadtime and bubble volume. 相似文献